SK海力士与台积电密切合作，推进下一代HBM4产品的开发
2024-04-19
2024年4月19日，SK海力士宣布与台积电公司达成谅解备忘录（MOU），密切合作开发下一代HBM（高带宽存储器）产品以及加强HBM与逻辑层的尖端封装技术。这两家领先的半导体公司计划在2026年投产第六代HBM产品。
作为人工智能应用领域的存储器领导者，SK海力士表示，与全球顶级逻辑代工企业台积电的合作将继续引领HBM技术的创新。通过构建IC设计厂、晶圆代工厂和存储器厂之间的三方技术合作，SK海力士将实现存储器产品性能的新突破。
双方首要任务是针对HBM封装内最底层的基础芯片（Base Die）进行性能改进。HBM技术通过在基础芯片上堆叠多个DRAM核心芯片，并通过TSV技术进行垂直连接来实现。基础芯片还与GPU相连，起到对HBM的控制作用。
在过去的HBM产品中，包括第五代HBM产品HBM3E，SK海力士一直使用自家制程工艺制造基础芯片。然而，从HBM4产品开始，计划采用台积电先进的逻辑工艺。这一决策将使基础芯片在采用超细微工艺时增加更多功能。因此，公司计划生产能够更广泛满足客户需求的定制化HBM产品，包括在性能和功耗等方面的优化。
与此同时，双方还将共同优化SK海力士的HBM产品与台积电的CoWoS技术的结合，以应对客户对HBM相关产品的需求。
SK海力士AI Infra担任社长的金柱善表示，通过与台积电的合作，公司将不仅开发出最高性能的HBM4产品，还将积极扩展与全球客户的开放合作关系。未来，公司将提升客户定制化存储器平台的竞争力，巩固其作为“面向AI的存储器全方位供应商”的地位。
台积电业务开发和海外营运办公室资深副总经理暨副共同营运长张晓强表示，台积电与SK海力士建立了多年稳固的合作伙伴关系。通过将先进的逻辑工艺和HBM产品融合在一起，两家公司向市场提供了全球领先的人工智能解决方案。展望新一代HBM4产品，我们相信通过密切合作，两家公司将为共同客户提供最佳的整合产品，成为推动新的人工智能创新的关键力量。
