三星量产第9代V-NAND，铠侠推出UFS 4.0闪存芯片，加速存储技术进步
2024-04-29
近日，三星和铠侠两家存储厂商发布了最新的消息。首先是三星宣布开始量产第9代V-NAND芯片。该芯片采用了下一代NAND闪存接口"Toggle 5.1"，可以提高33%的数据输入/输出速度，达到3.2Gbps。另外，三星计划通过扩大对PCIe 5.0的支持来巩固在高性能SSD市场的地位。第9代V-NAND拥有业界最小的单元尺寸和最薄的模组，使得其位密度相比第8代提高了约50%。同时，通过低功耗设计，第9代V-NAND的功耗也降低了10%。三星表示，凭借这一技术创新，他们将继续引领高性能、高密度SSD市场的趋势，满足下一代人工智能的需求。据悉，三星还计划在今年下半年开始量产四级单元(QLC)型号的芯片。
而铠侠则宣布推出了新一代UFS 4.0闪存芯片，并提供256GB、512GB和1TB的容量规格。这款新的闪存芯片采用了铠侠的BiCS Flash 3D闪存和主控芯片，并集成了MIPI M-PHY 5.0和UniPro 2.0接口标准，支持每通道23.2 Gbps或者每个设备46.4 Gbps的理论接口速度，并向后兼容UFS 3.1。与上一代UFS 4.0产品相比，这款新芯片的顺序写入速度提升了15%，随机写入速度提升了50%，随机读取速度提升了30%，而顺序读取速度保持不变，在4640MB/s的水平上。新产品采用了JEDEC标准的9mm x 13mm封装，比上一代11mm x 13mm的封装小了18%。其中256GB和512GB的闪存封装厚度为0.8mm，而1TB的则为0.9mm。
根据铠侠的表示，256GB和512GB容量的产品已经开始出样发货，而1TB的产品需要等到6月之后才能发货，同时样品规格可能会与最终量产版本有所不同。
