2026年9月1日，高盛发布最新存储价格跟踪报告，给出清晰判断：2026年三季度DRAM与NAND的平均售价走势与此前预期基本吻合，存储芯片整体仍处于景气上升通道。基于这一判断，高盛继续给予韩国存储双雄——三星电子和SK海力士——“买入”评级。
对于服务器采购决策者而言，这份报告释放了多个值得关注的信号。
高盛报告指出，本轮存储涨价已呈现明显的结构性特征：PC和服务器DRAM继续保持较强价格动能，而手机存储需求则受到库存上升拖累。
但关键不在于消费端的需求强弱，而在于供给端的产能配置。高盛强调，供应商持续将有限产能优先配置给服务器DRAM和高带宽内存（HBM），正在限制传统存储供应增长，这也成为支撑2027年价格的重要因素。
AI数据中心不仅推动HBM需求快速增长，也提高了服务器端对传统DRAM容量和性能的要求。更重要的是，HBM和先进服务器DRAM会占用存储厂商的晶圆产能和生产资源。即便部分消费电子需求出现波动，只要三星、SK海力士等厂商继续优先满足服务器DRAM和HBM需求，传统PC及移动DRAM的供给扩张空间便可能受到限制。
8月的市场价格数据印证了高盛的判断。
DDR4 64GB服务器内存模组价格维持在1295美元不变；DDR5 64GB模组价格环比上涨1%至1500美元。
由于DDR5价格上涨而DDR4持平，DDR5相对DDR4的价格溢价由7月的15%进一步扩大至16%。
这一扩大的溢价反映了AI服务器对高带宽、大容量内存的持续需求。HBM产能持续占用DRAM晶圆厂产能，服务器DDR5的供给紧张局面短期内难以缓解。
现货市场同样印证了价格的强势。目前DDR5 16Gb现货价格较最新合约价格高出约16%，DDR4 8Gb现货价格的溢价更达到43%。较高的现货溢价意味着短期市场价格明显高于此前签订的合约价格。
高盛报告引用了TrendForce的最新预测：
服务器DRAM是三季度价格最为坚挺的品类。TrendForce的判断与高盛对三星电子和SK海力士服务器DRAM平均售价环比上涨18%的预测基本一致。
针对Q3整体DRAM格局，TrendForce指出整体DRAM格局持续极度紧缺，但因消费级应用需求下修及高基数作用，合约价涨幅收敛。服务器DDR5的环比涨幅预计在10%-20%区间。
非长约客户正成为原厂提价的主要出口。由于部分原厂已提前在Q2报价中反映涨幅，加上数家美系CSP已签署多年期长约（LTA），限制了原厂对大型客户的进一步涨价空间——这意味着非长约客户将承受更大的价格压力。
TrendForce已将2026年第四季度DRAM合约价格预期从0%-5%上调至3%-8%。服务器DRAM在Q3受强劲需求推动后，Q4涨幅将有所收窄，但上涨趋势不会逆转。
高盛报告同时指出，供给约束将继续支撑2027年价格。存储供应商预计将继续优先满足服务器DRAM和HBM需求，传统存储供给扩张空间受限。移动DRAM的短期疲软只是节奏问题，不代表趋势逆转。
高盛9月1日的最新研判，传递了三个明确的信号：
信号一：存储价格仍在上行通道，等待降价风险极高。 Q3服务器DRAM环比上涨13%-18%，Q4预计再涨3%-8%。高盛明确表示存储芯片整体仍处于景气上升通道——价格不会在短期内回落。
信号二：非长约客户将承受更大的价格压力。 长约客户通过LTA锁定了相对温和的涨幅，而非长约客户的价格随行就市调涨。在产能持续向服务器DRAM和HBM倾斜的格局下，这一差距只会进一步扩大。
信号三：2027年的价格支撑已经确立。 高盛明确将“供应商持续优先配置服务器DRAM和HBM产能”视为支撑2027年价格的重要因素。对于2027年有服务器项目计划的团队，现在就应该开始规划内存采购与备货。
高盛9月1日报告的核心结论可以概括为一句话：存储芯片整体仍处于景气上升通道，Q3服务器DRAM环比上涨13%-18%，Q4涨幅收窄至3%-8%，但上涨不会停止。
8月的价格数据已经验证了这一趋势：DDR5 64GB模组涨至1500美元，DDR5相对DDR4的溢价扩大至16%。现货市场DDR5溢价16%、DDR4溢价43%——供需缺口仍在。
对于服务器采购决策者而言，等待降价的风险远大于现在锁定供应的成本。在产能持续向服务器DRAM和HBM倾斜、2027年价格支撑已基本确立的背景下，提前锁定现货供应、建立多品牌采购渠道，是穿越本轮存储“超级周期”的唯一选择。